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SAMSUNG (サムスン)

MZVKW512HMJP-00000

SM961 MZVKW512HMJP-00000 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜512GB

Samsung製MLC V-NANDを採用し連続読込最大「3200MB/s」を実現したM.2 NVMe SSD 512GBモデル

512GB M.2 2280 PCI-Express 3.0 x4接続 NVMe SSD MLC V-NAND Read 最大3200MB/Sec Write 最大1700MB/Sec

製品の詳細・仕様

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バルク品 保証期間6ヶ月

商品番号:13511575
JANコード:4562128137250
販売開始日:2016-09-16
最終更新日:2018-09-27

製品の詳細・仕様

型番 MZVKW512HMJP-00000
シリーズ SM961
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 512GB
キャッシュ --
コントローラー Samsung Polaris
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3200MB/sec
ランダムリード:最大 330000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1700MB/sec
ランダムライト:最大 300000IOPS
消費電力 --
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) --
MTBF(MTTF) --
備考 --
発売日 2016-09-16

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 512GB 500GB 512GB 500GB
キャッシュ -- -- -- --
コントローラー Samsung Polaris -- 非公開 -- 非公開 --
フラッシュメーカー Samsung Micron -- --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC 3D QLC 3D TLC NAND 3D TLC NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3200MB/sec
ランダムリード:最大 330000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec シーケンシャルリード:最大 3430MB/sec
ランダムリード:最大 420000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1700MB/sec
ランダムライト:最大 300000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1900MB/sec シーケンシャルライト:最大 4700MB/sec シーケンシャルライト:最大 2600MB/sec
ランダムライト:最大 380000IOPS
消費電力 -- -- -- --
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) -- 110TBW 500TBW 1000TBW
MTBF(MTTF) -- 150万時間 160万時間 175万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2016-09-16
2022-09-07
2022-11-11
2021-10-16
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