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型番 | MZ-V6E250B/IT |
シリーズ | 960EVO |
メーカー | SAMSUNG(サムスン) |
フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe |
インターフェイス | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) |
ストレージタイプ | SSD |
内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ |
容量 | 250GB |
キャッシュ | 512MB LowPower DDR3 |
コントローラー | Samsung Polaris |
フラッシュメーカー | Samsung |
フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 3200MB/sec ランダムリード:最大 330000IOPS |
書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 1500MB/sec ランダムライト:最大 300000IOPS |
消費電力 | アイドル時 0.04W/動作時平均 4.2~5.3W |
動作音 | -- |
耐久性評価 (書き込み上限数) | -- |
総書込みバイト量(Total Byte Written) | 100TBW |
MTBF(MTTF) | 150万時間 |
備考 | -- |
発売日 | 2016-12-24 |
MZ-V6E250B/IT
|
||
-- | 3,880円(税込) | |
フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
インターフェイス | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) |
ストレージタイプ | SSD | SSD |
内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
容量 | 250GB | 256GB |
キャッシュ | 512MB LowPower DDR3 | -- |
コントローラー | Samsung Polaris | -- |
フラッシュメーカー | Samsung | -- |
フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | -- 3D NAND |
読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 3200MB/sec ランダムリード:最大 330000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 1900MB/sec |
書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 1500MB/sec ランダムライト:最大 300000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 1000MB/sec |
消費電力 | アイドル時 0.04W/動作時平均 4.2~5.3W | -- |
動作音 | -- | -- |
耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- |
総書込みバイト量(Total Byte Written) | 100TBW | 80TBW |
MTBF(MTTF) | 150万時間 | 150万時間 |
備考 | -- | -- |
発売日 |
2016-12-24 |
2022-12-15 |
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