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SAMSUNG (サムスン)

MZVLB256HAHQ-00000

PM981 MZVLB256HAHQ-00000 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜256GB

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バルク品 保証期間6ヶ月

商品番号:13511929
JANコード:4582353584780
発売日:2018-05-16
最終更新日:2018-12-30

製品の詳細・仕様

型番 MZVLB256HAHQ-00000
シリーズ PM981
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 256GB
キャッシュ --
コントローラー Samsung Phoenix
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 --
書込み速度 --
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) --
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2018-05-16

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MZVLB256HAHQ-00000
MZVLB256HAHQ-00000
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 256GB 250GB 256GB 250GB
キャッシュ -- -- -- 512MB LowPower DDR4
コントローラー Samsung Phoenix -- Silicon Motion SM2262 Samsung Phoenix
フラッシュメーカー Samsung SanDisk intel Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND 3D TLC NAND 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 -- シーケンシャルリード:最大 3000MB/sec
ランダムリード:最大 220000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3210MB/sec
ランダムリード:最大 205000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3400MB/sec
ランダムリード:最大 200000IOPS
書込み速度 -- シーケンシャルライト:最大 1600MB/sec
ランダムライト:最大 170000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1315MB/sec
ランダムライト:最大 265000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1500MB/sec
ランダムライト:最大 350000IOPS
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W アイドル時 0.07W/動作時平均 0.11W アイドル時 0.05W/動作時平均 0.025W アイドル時 0.03W/動作時平均 4.2~5.4W
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) -- 200TBW 144TBW 150TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 175万時間 160万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2018-05-16
2018-05-18
2018-01-30
2018-05-11
価格 -- 8,980円(税込) 7,980円(税込) 9,980円(税込)
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