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SAMSUNG (サムスン)

MZVLB256HAHQ-00000

PM981 MZVLB256HAHQ-00000 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜256GB

製品の詳細・仕様

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バルク品 保証期間6ヶ月

商品番号:13511929
JANコード:4582353584780
発売日:2018-05-16
最終更新日:2018-09-30

製品の詳細・仕様

型番 MZVLB256HAHQ-00000
シリーズ PM981
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 256GB
キャッシュ --
コントローラー Samsung Phoenix
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 --
書込み速度 --
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) --
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2018-05-16

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X2 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 256GB 256GB 240GB 256GB
キャッシュ -- 512MB LowPower DDR3L -- --
コントローラー Samsung Phoenix Marvell 88SS1093 Phison E8 Silicon Motion SM2262
フラッシュメーカー Samsung 東芝 -- intel
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND (BiCS3 3D TLC) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
読込み速度 -- シーケンシャルリード:最大 3000MB/sec
ランダムリード:最大 180000IOPS
シーケンシャルリード:最大 1500MB/sec
ランダムリード:最大 100000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3210MB/sec
ランダムリード:最大 205000IOPS
書込み速度 -- シーケンシャルライト:最大 1000MB/sec
ランダムライト:最大 160000IOPS
シーケンシャルライト:最大 800MB/sec
ランダムライト:最大 80000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1315MB/sec
ランダムライト:最大 265000IOPS
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W -- アイドル時 0.01W/読み書き時 0.458 ~ 0.908W アイドル時 0.05W/動作時平均 0.025W
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) -- 160TBW 150TBW 144TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 100万時間 160万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2018-05-16
2018-03-31
2018-09-06
2018-01-30
価格 10,260円(税込) 12,280円(税込) 7,580円(税込) 8,480円(税込)
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