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SAMSUNG (サムスン)

MZVLB512HAJQ-00000

PM981 MZVLB512HAJQ-00000 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜512GB

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バルク品 保証期間6ヶ月

商品番号:13511930
JANコード:4582353584797
販売開始日:2018-05-16
最終更新日:2018-12-04

製品の詳細・仕様

型番 MZVLB512HAJQ-00000
シリーズ PM981
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 512GB
キャッシュ --
コントローラー Samsung Phoenix
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3000MB/sec
ランダムリード:最大 270000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1800MB/sec
ランダムライト:最大 420000IOPS
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) --
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2018-05-16

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 512GB 500GB 500GB 500GB
キャッシュ -- -- -- --
コントローラー Samsung Phoenix -- -- 非公開 -- 非公開
フラッシュメーカー Samsung -- Micron Micron
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D QLC 3D QLC 3D QLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3000MB/sec
ランダムリード:最大 270000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec シーケンシャルリード:最大 4700MB/sec シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1800MB/sec
ランダムライト:最大 420000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2100MB/sec シーケンシャルライト:最大 1900MB/sec シーケンシャルライト:最大 1900MB/sec
消費電力 アイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.9W -- -- --
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) -- 160TBW 110TBW 110TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2018-05-16
2022-09-22
2022-09-03
2022-09-07
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