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intel (インテル)

SSDPEKNW010T8X1

SSD 660p SSDPEKNW010T8X1 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

1TB M.2 2280 PCI-Express 3.0 x4接続 NVMe SSD 3D-QLC Read 最大1800MB/Sec Write 最大1800MB/Sec

製品の詳細・仕様

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国内代理店品 メーカー5年保証

商品番号:13511982
JANコード:0735858381086
販売開始日:2018-09-21
最終更新日:2021-07-04

製品の詳細・仕様

型番 SSDPEKNW010T8X1
シリーズ SSD 660p
メーカー intel(インテル)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ -- DDR3L
コントローラー Silicon Motion SM2263
フラッシュメーカー intel
フラッシュタイプ 3D QLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 1800MB/sec
ランダムリード:最大 150000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1800MB/sec
ランダムライト:最大 220000IOPS
消費電力 アイドル時 0.04W/動作時平均 0.1W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 200TBW
MTBF(MTTF) 160万時間
備考 --
発売日 2018-09-21

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ -- DDR3L -- 1GB LowPower DDR4 --
コントローラー Silicon Motion SM2263 PS5013-E13T Samsung Elpis --
フラッシュメーカー intel -- Samsung Micron
フラッシュタイプ 3D QLC 3D TLC NAND (BiCS4 または Micron B27) 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D QLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 1800MB/sec
ランダムリード:最大 150000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 130000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1800MB/sec
ランダムライト:最大 220000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1750MB/sec
ランダムライト:最大 370000IOPS
シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1800MB/sec
消費電力 アイドル時 0.04W/動作時平均 0.1W -- アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W --
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 200TBW -- 600TBW 300TBW
MTBF(MTTF) 160万時間 150万時間 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2018-09-21
2021-05-29
2020-10-02
2020-10-20
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