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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V8P500B/IT

980 PRO MZ-V8P500B/IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜512GB

製品の詳細・仕様

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国内代理店品/BOX メーカー5年保証

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商品番号:13512262
JANコード:4560441096551
販売開始日:2020-10-02
最終更新日:2021-07-27

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V8P500B/IT
シリーズ 980 PRO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 500GB
キャッシュ 512MB LowPower DDR4
コントローラー Samsung Elpis
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 6900MB/sec
ランダムリード:最大 800000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.4~5.9W
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 300TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2020-10-02

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3 PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 500GB 500GB 500GB 500GB
キャッシュ 512MB LowPower DDR4 DDR4 512MB -- --
コントローラー Samsung Elpis Phison PS5016-E16 -- PS5013-E13T
フラッシュメーカー Samsung Western Digital Micron --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND BiCS4 3D QLC 3D TLC NAND (BiCS4 または Micron B27)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 6900MB/sec
ランダムリード:最大 800000IOPS
シーケンシャルリード:最大 4950MB/sec
ランダムリード:最大 450000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2300MB/sec
ランダムリード:最大 95000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 130000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec
ランダムライト:最大 550000IOPS
シーケンシャルライト:最大 940MB/sec
ランダムライト:最大 215000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1750MB/sec
ランダムライト:最大 370000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 300TBW 850TBW 150TBW --
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 150万時間
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.4~5.9W -- -- --
備考 -- -- -- --
発売日 2020-10-02
2020-08-29
2020-05-02
2021-05-29
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