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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V8P1T0B/IT

980 PRO MZ-V8P1T0B/IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

製品の詳細・仕様

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商品番号:13512263
JANコード:4560441096568
製品タイプ: 正規販売・代理店版
販売開始日:2020-10-02
最終更新日:2025-06-03

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V8P1T0B/IT
シリーズ 980 PRO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ 1GB LowPower DDR4
コントローラー Samsung自社製コントローラ
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2020-10-02

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe™ 1.4準拠 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ 1GB LowPower DDR4 -- -- --
コントローラー Samsung自社製コントローラ -- 非公開 -- 非公開 --
フラッシュメーカー Samsung -- KIOXIA --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND 3D TLC NAND (BiCS FLASH™ TLC) -- 3D NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1400000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 770000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
シーケンシャルライト:最大 6500MB/sec
ランダムライト:最大 1300000IOPS
シーケンシャルライト:最大 3900MB/sec
ランダムライト:最大 950000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2200MB/sec
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW 750TBW 600TBW 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2020-10-02
2023-09-08
2023-10-21
2022-12-15
  商品ページはこちら 商品ページはこちら 商品ページはこちら

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