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CFD (シーエフデー)

CSSD-M2M5GPG4VNZ

PG4VNZ CSSD-M2M5GPG4VNZ SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜512GB

PHISON PS5018-E18コントローラとMicron 3D TLC NANDフラッシュ(B27B)を搭載。さらにDDR4 DRAMをキャッシュメモリに採用することで高いパフォーマンス、耐久性、信頼性を実現した超高速SSD

製品の詳細・仕様

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  • 税込価格: 15,180円
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営業時間11:00〜18:00
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商品番号:13512272
JANコード:4988755055864
販売開始日:2021-07-17
最終更新日:2021-07-18

製品の詳細・仕様

型番 CSSD-M2M5GPG4VNZ
シリーズ PG4VNZ
メーカー CFD(シーエフデー)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 500GB
キャッシュ 512MB DDR4
コントローラー Phison PS5018-E18
フラッシュメーカー Micron
フラッシュタイプ 3D TLC NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 6500MB/sec
ランダムリード:最大 170000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 2850MB/sec
ランダムライト:最大 600000IOPS
消費電力 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 350TBW
MTBF(MTTF) --
備考 --
発売日 2021-07-17

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 500GB 500GB 500GB 480GB
キャッシュ 512MB DDR4 -- 512MB LowPower DDR4 --
コントローラー Phison PS5018-E18 -- Samsung Elpis --
フラッシュメーカー Micron Micron Samsung --
フラッシュタイプ 3D TLC NAND 3D QLC 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) --
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 6500MB/sec
ランダムリード:最大 170000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2300MB/sec
ランダムリード:最大 95000IOPS
シーケンシャルリード:最大 6900MB/sec
ランダムリード:最大 800000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 250000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 2850MB/sec
ランダムライト:最大 600000IOPS
シーケンシャルライト:最大 940MB/sec
ランダムライト:最大 215000IOPS
シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1650MB/sec
ランダムライト:最大 170000IOPS
消費電力 -- -- アイドル時 0.035W/動作時平均 5.4~5.9W --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 350TBW 150TBW 300TBW 60TBW
MTBF(MTTF) -- 150万時間 150万時間 100万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2021-07-17
2020-05-02
2020-10-02
2021-06-30
  商品ページはこちら 商品ページはこちら 商品ページはこちら

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