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| 型番 | MZ-V8V1T0B/IT |
| シリーズ | 980 |
| メーカー | SAMSUNG(サムスン) |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4 |
| ストレージタイプ | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ |
| 容量 | 1TB |
| キャッシュ | -- HMB対応 |
| コントローラー | Samsung自社製コントローラ |
| フラッシュメーカー | Samsung |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec ランダムリード:最大 500000IOPS |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec ランダムライト:最大 480000IOPS |
| 消費電力 | アイドル時 0.005W/動作時平均 4.5～4.6W |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 |
| 備考 | -- |
| 発売日 | 2021-03-12 |
MZ-V8V1T0B/IT
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|
|
|
| 11,480円(税込) | 11,980円(税込) | 6,270円(税込) | 11,980円(税込) | |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4 | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c |
| ストレージタイプ | SSD | SSD | SSD | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
| 容量 | 1TB | 1TB | 1TB | 1TB |
| キャッシュ | -- HMB対応 | -- | -- | 1GB LowPower DDR4 |
| コントローラー | Samsung自社製コントローラ | -- 非公開 | -- | Samsung自社製コントローラ |
| フラッシュメーカー | Samsung | -- | -- | Samsung |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D TLC NAND | -- 3D NAND | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec ランダムリード:最大 500000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec | シーケンシャルリード:最大 2000MB/sec |
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec ランダムライト:最大 480000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 6500MB/sec | シーケンシャルライト:最大 1600MB/sec |
シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS |
| 消費電力 | アイドル時 0.005W/動作時平均 4.5～4.6W | -- | -- | アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7～6.2W |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- | -- | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW | 750TBW | 320TBW | 600TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 | 160万時間 | 150万時間 | 150万時間 |
| 備考 | -- | -- | -- | -- |
| 発売日 |
2021-03-12 |
2022-11-11 |
2022-12-15 |
2021-11-12 |
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