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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V8V1T0B/IT

980 MZ-V8V1T0B/IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

製品の詳細・仕様

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  • 税込価格: 11,980円
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国内代理店品/BOX メーカー5年保証

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商品番号:13512319
JANコード:4560441096940
販売ルート: 正規販売・輸入代理店品
販売開始日:2021-03-12
最終更新日:2022-08-14

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V8V1T0B/IT
シリーズ 980
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ -- HMB対応
コントローラー Samsung Pablo
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 500000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec
ランダムライト:最大 480000IOPS
消費電力 アイドル時 0.005W/動作時平均 4.5~4.6W
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2021-03-12

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MZ-V8V1T0B/IT
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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4 PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ -- HMB対応 -- 1GB DDR4 1GB LowPower DDR4
コントローラー Samsung Pablo -- PHISON E18 Samsung Elpis
フラッシュメーカー Samsung -- -- 非公開 Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND 3D TLC NAND 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 500000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 460000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 350000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec
ランダムライト:最大 480000IOPS
シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec
ランダムライト:最大 450000IOPS
シーケンシャルライト:最大 5500MB/sec
ランダムライト:最大 700000IOPS
シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
消費電力 アイドル時 0.005W/動作時平均 4.5~4.6W -- -- アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW 600TBW 700TBW 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 160万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2021-03-12
2021-11-12
2021-07-30
2021-11-12
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