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CFD (シーエフデー)

CSSD-M2O5GEG2VNQ

EG2VNQ CSSD-M2O5GEG2VNQ SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 〜1TB未満 〜512GB

耐久性や効率性を高めるためにSmartZip™やSmartRefresh™を採用したカジュアルユース向けNVMe SSD

Sequential Read Max 2400MB/s、Write Max 1750MB/s

製品の詳細・仕様

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メーカー保証 3年間

商品番号:13512326
JANコード:4988755058476
販売開始日:2021-05-29
最終更新日:2021-09-17

製品の詳細・仕様

型番 CSSD-M2O5GEG2VNQ
シリーズ EG2VNQ
メーカー CFD(シーエフデー)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 500GB
キャッシュ --
コントローラー PS5013-E13T
フラッシュメーカー --
フラッシュタイプ 3D TLC NAND (BiCS4 または Micron B27)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 130000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1750MB/sec
ランダムライト:最大 370000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) --
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2021-05-29

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4 PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 500GB 500GB 500GB 500GB
キャッシュ -- -- HMB対応 -- --
コントローラー PS5013-E13T Samsung Pablo -- --
フラッシュメーカー -- Samsung -- Micron
フラッシュタイプ 3D TLC NAND (BiCS4 または Micron B27) 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND 3D QLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 130000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3100MB/sec
ランダムリード:最大 400000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2400MB/sec
ランダムリード:最大 300000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2300MB/sec
ランダムリード:最大 95000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 1750MB/sec
ランダムライト:最大 370000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2600MB/sec
ランダムライト:最大 470000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1750MB/sec
ランダムライト:最大 240000IOPS
シーケンシャルライト:最大 940MB/sec
ランダムライト:最大 215000IOPS
消費電力 -- アイドル時 0.005W/動作時平均 4.2~4.3W -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) -- 300TBW 300TBW 150TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 170万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2021-05-29
2021-03-12
2020-01-15
2020-05-02
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