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intel (インテル)

SSDPEKNU010TZX1

SSD 670p SSDPEKNU010TZX1 SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

最新のintel QLC NANDを搭載し連続読み込み性能・耐久性を向上させたSSD

製品の詳細・仕様

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国内代理店品 メーカー5年保証

商品番号:13512330
JANコード:0735858453295
製品タイプ: 正規販売・代理店版
発売日:2021-04-23
最終更新日:2023-01-11

製品の詳細・仕様

型番 SSDPEKNU010TZX1
シリーズ SSD 670p
メーカー intel(インテル)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ --
コントローラー --
フラッシュメーカー intel
フラッシュタイプ 3D QLC 144Layer
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 220000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec
ランダムライト:最大 330000IOPS
消費電力 アイドル時 0.025W/動作時平均 0.08W
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 370TBW
MTBF(MTTF) 160万時間
備考 --
発売日 2021-04-23

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ -- -- DRAMレス -- -- HMB(Host Memory Buffer)
コントローラー -- -- -- 非公開 Samsung 自社製
フラッシュメーカー intel -- Micron Samsung
フラッシュタイプ 3D QLC 144Layer -- 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 220000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2350MB/sec シーケンシャルリード:最大 7300MB/sec
ランダムリード:最大 1150000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 680000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec
ランダムライト:最大 330000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1850MB/sec シーケンシャルライト:最大 6800MB/sec
ランダムライト:最大 1440000IOPS
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec
ランダムライト:最大 800000IOPS
消費電力 アイドル時 0.025W/動作時平均 0.08W -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 370TBW -- 600TBW 600TBW
MTBF(MTTF) 160万時間 -- -- 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2021-04-23
2023-12-06
2023-12-02
2024-01-31
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