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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V8P1T0C/IT

980 PRO with Heatsink MZ-V8P1T0C/IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

PCIe® 4.0に対応した自社製コントローラを採用することで、最大読み出し速度7,000MB/sを発揮するなど、パフォーマンスが最適化されています。

データセンター向けSSDで培ったノウハウを余すことなく注ぎ込んだヒートシンクは効果的に放熱し、ほとんどのゲーム機やPCシステムでのオーバーヒートによる突然のパフォーマンス低下を最小限に抑え、持続的な高性能ゲームプレイを可能にします

PlayStation®5に加えてPCI-SIG® D8仕様 (8.8mm) に適合するデスクトップおよびラップトップと互換性のある8.6mmの薄型ボディで、スペースの制限を最小限に抑えます。

製品の詳細・仕様

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国内代理店品/BOX メーカー5年保証 もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間まで

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商品番号:13512379
JANコード:4560441097503
製品タイプ: 正規販売・代理店版
発売日:2021-11-12
最終更新日:2024-04-15

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V8P1T0C/IT
シリーズ 980 PRO with Heatsink
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ 1GB LowPower DDR4
コントローラー Samsung自社製コントローラ
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2021-11-12

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ 1GB LowPower DDR4 -- -- HMB(Host Memory Buffer) --
コントローラー Samsung自社製コントローラ -- 非公開 Samsung 自社製 --
フラッシュメーカー Samsung Micron Samsung --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7300MB/sec
ランダムリード:最大 1150000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 680000IOPS
シーケンシャルリード:最大 4150MB/sec
ランダムリード:最大 600000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec
ランダムライト:最大 1000000IOPS
シーケンシャルライト:最大 6800MB/sec
ランダムライト:最大 1440000IOPS
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec
ランダムライト:最大 800000IOPS
シーケンシャルライト:最大 4150MB/sec
ランダムライト:最大 750000IOPS
消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7~6.2W -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW 600TBW 600TBW 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2021-11-12
2023-12-02
2024-01-31
2023-07-15
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