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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V9S2T0B-IT

990 EVO Plus MZ-V9S2T0B-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 ~2TB

最新のNANDフラッシュメモリを搭載した 990 EVO Plusは、シーケンシャル読み出し/書き込み速度を最大7,250/6,300MB/s まで高速化し、巨大なファイルを瞬時に転送します。

最適化された効率、拡張されたパフォーマンス。ニッケルコーティングされたコントローラはワットパフォーマンスを 73%改善させ、より少ない電力消費で熱制御を実現します。過熱やバッテリー消費を心配することなく、仕事や遊びに集中できます。

強化された Intelligent TurboWrite 2.0でドライブのパワーを最大限に活用します。 最大 4TBの大容量と拡張された TurboWrite領域により、大量のデータをより高速に処理し、重いグラフィックスもスムーズに処理できます。

製品の詳細・仕様

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国内代理店品/BOX メーカー5年保証もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。

商品番号:13512797
JANコード:4560441099729
製品タイプ: 正規販売・代理店版
発売日:2024-11-08
最終更新日:2024-12-07

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V9S2T0B-IT
シリーズ 990 EVO Plus
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 2TB
キャッシュ -- HMB(Host Memory Buffer)
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7250MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6300MB/sec
ランダムライト:最大 1350000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 1200TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2024-11-08

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 2TB 2TB 2TB 2TB
キャッシュ -- HMB(Host Memory Buffer) -- -- --
コントローラー Samsung 自社製 -- 非公開 -- -- 非公開
フラッシュメーカー Samsung Micron -- Micron
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) -- 3D NAND 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7250MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec
ランダムリード:最大 1180000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec
ランダムリード:最大 1180000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6300MB/sec
ランダムライト:最大 1350000IOPS
シーケンシャルライト:最大 7000MB/sec
ランダムライト:最大 1440000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2800MB/sec シーケンシャルライト:最大 7000MB/sec
ランダムライト:最大 1440000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 1200TBW 1200TBW 1200TBW 1200TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 --
備考 -- -- -- --
発売日 2024-11-08
2023-12-02
2022-12-21
2023-12-02
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