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SAMSUNG (サムスン)

MZ-VAP4T0C-IT

9100 PRO with Heatsink MZ-VAP4T0C-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 4TB以上〜 〜4TB

PCIe® 5.0のパフォーマンスを最大限に引き出します。 9100 PRO は、990 PRO の 2 倍である最大 14,800/13,400 MB/秒の超高速シーケンシャル読み出し/書き込み速度を実現します。 Gen4 では到達できない Gen5 だからこそ可能となる最大 2,200K/2,600K IOPS のランダム読み出し/書き込み速度を実現します。

生産性の限界を超えたスピード。爽快なランダム読み出し/書き込み速度により、無数の断片化されたデータを最大 2,200K/2,600K IOPS で超高速並列処理できます。大規模なゲーム、高パフォーマンスのタスク、さらには AI アプリケーションに対しても優れた出力と即時ロードを体験してください。

インテリジェンスがパフォーマンスを再定義します。 9100 PRO の最大 2,200K/2,600K IOPS の爽快なランダム読み出し/書き込み速度がもたらす素早いロード、スムーズなゲームプレイ、シームレスなパフォーマンスでオンボード AI PC や AI コンテンツ生成など、仕事や遊びの限界に挑戦しましょう。

途切れることのない最高のパフォーマンス。高度な 5nm コントローラーの電力アーキテクチャにより、990 PRO と比べて電力効率が最大 49% 向上します。卓越した熱制御により、フローが中断されることを防ぎ、最も要求の厳しいプログラムでも PCIe® 5.0 の可能な最大電力で実行し続けます。

製品の詳細・仕様

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  • 税込価格: 86,980円
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国内代理店品/BOX メーカー5年保証もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。

商品番号:13512845
JANコード:4560441099927
製品タイプ: 正規販売・代理店版
販売開始日:2025-04-04
最終更新日:2025-06-11

製品の詳細・仕様

型番 MZ-VAP4T0C-IT
シリーズ 9100 PRO with Heatsink
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (5.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 4TB
キャッシュ 4GB Samsung Low Power DDR4X SDRAM
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 14800MB/sec
ランダムリード:最大 2200000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 13400MB/sec
ランダムライト:最大 2600000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 2400TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2025-04-04

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  86,980円(税込) 44,880円(税込) 43,980円(税込) 39,800円(税込)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (5.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 4TB 4TB 4TB 4TB
キャッシュ 4GB Samsung Low Power DDR4X SDRAM -- -- HMB(Host Memory Buffer) --
コントローラー Samsung 自社製 WD独自コントローラー Samsung 自社製 -- 非公開
フラッシュメーカー Samsung Western Digital Samsung Micron
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D QLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 14800MB/sec
ランダムリード:最大 2200000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec
ランダムリード:最大 900000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7250MB/sec
ランダムリード:最大 1050000IOPS
シーケンシャルリード:最大 4800MB/sec
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 13400MB/sec
ランダムライト:最大 2600000IOPS
シーケンシャルライト:最大 6700MB/sec
ランダムライト:最大 1350000IOPS
シーケンシャルライト:最大 6300MB/sec
ランダムライト:最大 1400000IOPS
シーケンシャルライト:最大 4100MB/sec
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 2400TBW 2400TBW 2400TBW 800TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2025-04-04
2025-05-09
2024-11-08
2022-10-05
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