Z170M OC Formulaが世界記録更新! ～DDR4-5189.2MHz達成の現場をレポ～
G.SKILL社は今年もCOMPUTEX TAIPEI会場内に、OC用の特設ブースを出展。世界大会と同時に、各メーカーのプロオーバークロッカーを招いた世界記録挑戦イベントを行った。今回は、ASRock社を通じてイベントに招待され、世界記録挑戦イベントに参加して来ので、その時の様子をレポートしたいと思う。
総勢14名のエキスパートが出演
今回僕が出演したのは、6月4日に行われたASRock dayのデモだ。ASRockチームは専属OCマスターのNick Shih氏、世界大会優勝経験者のSplave、液体窒素芸人の僕という構成。DDR4メモリの世界最高動作クロック記録の更新がターゲットだ。
前日にチームメイトのSplaveが、G.SKILL OC WORLD CUPで優勝したので、チームのモチベーションは最高の状態…
DDR4-5000MHz超えという未知なる領域へ…
Nickがシステムを操作し、僕が液体窒素のコントロールをするという役割でアタックをスタート。CPUとメモリの最適温度を探りながら、アクセスタイミングや各種電圧を調整していく。
すると開始早々に世界記録をあっさりと更新!この時のメモリクロックはDDR4-5094.2MHzで、前記録を大幅に更新。この時、メモリの限界はまだまだ先にありそうな手応えを感じた。
ちなみにだが、CPU温度は-90℃、メモリ温度は-80℃あたりが一番メモリクロックが伸びやすかった。メモリクロックのOCではあるが、メモリコントローラを内蔵するCPUの温度調整も実はかなり重要なのだ。
最終的にはDDR4-5189.2MHzを達成!
DDR4-5166MHzを達成するも、CPUのメモリコントローラの限界に達したのか、メモリクロックが全く伸びなくなってしまった。さらに、高い湿度が災いしてかメモリスロットの内部が湿ってしまいシステムが不安定に…
デモ時間が残り1時間となった所で、さらなる記録更新を目指してCPU変更という賭けに出る事にした。
Splaveが持ち込んだメモリコントローラ耐性の高いCPUに変更すると、頭打ちになったメモリクロックが再び伸び始めた。そしてデモ終了間際にはDDR4-5189.2MHzを達成。この領域になるとシステムは超不安定で、OCツールが開けなくなったり、保存したバリデーションファイルが壊れていたりと、エキスパート達でも苦戦する程だ。
前記録がかなりのハイスコアだっただけに少し不安もあったが、どうにか記録を更新出来て一安心。これは、究極のメモリOC耐性を誇る“Z170M OC Formula”と高品質IC採用の“Trident Z”のお陰といえるだろう。日本から応援して下さった皆さん、ありがとうございました!
今回のシミオシ(清水イチオシの略)
今回は、G.SKILLの誇るフラッグシップメモリであるTrident Zシリーズをシミオシたいと思う。高度に選別されたSamsung製ICを採用し、高いOC耐性を誇る製品だ。容量やクロックのラインナップも豊富なので、様々な用途にマッチすること間違いなし。
