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Phoenixコントローラで更に進化したSamsungのハイスピードNVMe SSD 「SSD 970 PRO」と「SSD 970 EVO」が販売開始

SamsungからNVMe M.2フォームファクタ対応、2bit MLC V-NANDを採用し連続読込み最大3,500MB/sを実現する「SAMSUNG SSD 970 PRO」と、3bit MLC VNANDを採用し価格を抑えた「SAMSUNG SSD 970 EVO」が登場、2018年5月11日(金)より販売を開始した。 Phoenixコントローラ採用でパフォーマンス向上。

ビュー: 2555
公開日: 2018-05-11
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Phoenixコントローラーで更にパフォーマンスUP「SSD 970」シリーズ販売開始

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SamsungのM.2 2280 NVMe SSDシリーズ「SSD 970 PRO」と「SSD 970 EVO」が2018年5月11日(金)より販売を開始している。

SAMSUNG 「SSD 970 PRO」、「SSD 970 EVO」は同社の多層型3D NAND技術「V-NAND」と最新のPhoenixコントローラを組み合わせる事で最大転送3,500MB/sを実現するPCIe NVMe M.2 2280高速転送SSD「SSD 900」シリーズの最新モデル。

ラインナップ

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発売開始時点でのラインナップは2bit MLC V-NANDを採用し最大転送3500MB/sの「Samsung SSD 970 PRO」シリーズより容量512GBの「MZ-V7P512B/IT」、1TBの「MZ-V7P1T0B/IT」の2モデル。 3bit MLC V-NANDを採用し最大転送速度3500MB/sの「Samsung SSD 970 EVO」シリーズより容量250GBの「MZ-V7E250B/IT」、500GBの「MZ-V7E500B/IT」、1TBの「MZ-V7E1T0B/IT」、2TB「MZ-V7E2T0B/IT」の4モデル、合計2シリーズ6モデルとなる。

SSD 970 シリーズ特長

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主な特長は、進化した5コアコントローラ「Phoenix」の採用により、連続、ランダムアクセス共にパフォーマンスが向上。 TBW(Total Bytes Written)が前シリーズ比1.5倍に増加、耐久性の向上も実現している。また、EVOシリーズの保証期間が今回より3年から5年に延長されているなど。

保証については、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書込みバイト量)しきい値に到達した日の、いずれか短い期間までの保証となるので留意したい。

スペック詳細はモデル毎に異なる為以下にシリーズ毎でまとめてみた。

SSD 970 PRO

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シリーズ970PRO970PRO
メーカーSAMSUNGSAMSUNG
フォームファクタM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイスPCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3
ストレージタイプSSDSSD
内蔵 / 外付け内蔵タイプ内蔵タイプ
容量512GB1TB
キャッシュ512MB LowPower DDR41GB LowPower DDR4
コントローラーSamsung PhoenixSamsung Phoenix
フラッシュメーカーSamsungSamsung
フラッシュタイプ3D V-NAND - 2bit MLC3D V-NAND - 2bit MLC
読込み速度シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 370000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 500000IOPS
書込み速度シーケンシャルライト:最大 2300MB/sec
ランダムライト:最大 500000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2700MB/sec
ランダムライト:最大 500000IOPS
消費電力アイドル時 0.03W/動作時平均 5.2Wアイドル時 0.03W/動作時平均 5.2~5.7W
総書込みバイト量(Total Byte Written)600TBW1200TBW
MTBF(MTTF)150万時間150万時間
発売日2018-05-11
2018-05-11
アーク参考価格読み込み中読み込み中
  製品詳細 製品詳細

SSD 970 EVO

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シリーズ970EVO970EVO970EVO970EVO
メーカーSAMSUNGSAMSUNGSAMSUNGSAMSUNG
フォームファクタM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイスPCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3
ストレージタイプSSDSSDSSDSSD
内蔵 / 外付け内蔵タイプ内蔵タイプ内蔵タイプ内蔵タイプ
容量250GB500GB1TB2TB
キャッシュ512MB LowPower DDR4512MB LowPower DDR41GB LowPower DDR42GB LowPower DDR4
コントローラーSamsung PhoenixSamsung PhoenixSamsung PhoenixSamsung Phoenix
フラッシュメーカーSamsungSamsungSamsungSamsung
フラッシュタイプ3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度シーケンシャルリード:最大 3400MB/sec
ランダムリード:最大 200000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3400MB/sec
ランダムリード:最大 370000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3400MB/sec
ランダムリード:最大 500000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 500000IOPS
書込み速度シーケンシャルライト:最大 1500MB/sec
ランダムライト:最大 350000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2300MB/sec
ランダムライト:最大 450000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec
ランダムライト:最大 450000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2500MB/sec
ランダムライト:最大 480000IOPS
消費電力アイドル時 0.03W/動作時平均 4.2~5.4Wアイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.8Wアイドル時 0.03W/動作時平均 6.0Wアイドル時 0.03W/動作時平均 6.0W
総書込みバイト量(Total Byte Written)150TBW300TBW600TBW1200TBW
MTBF(MTTF)150万時間150万時間150万時間150万時間
発売日2018-05-11
2018-05-11
2018-05-11
2018-05-11
アーク参考価格読み込み中読み込み中読み込み中読み込み中
  製品詳細 製品詳細 製品詳細 製品詳細

まとめ

 
シリーズ970PRO970EVOM9PeGNSSD 760pWD BLACK PCIE SSD
メーカーSAMSUNGSAMSUNGPlextorintelWestern Digital
フォームファクタM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIeM.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイスPCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express)
容量512GB500GB512GB512GB512GB
キャッシュ512MB LowPower DDR4512MB LowPower DDR4512MB LowPower DDR3L----
コントローラーSamsung PhoenixSamsung PhoenixMarvell 88SS1093Silicon Motion SM2262Marvell 88SS1093
フラッシュメーカーSamsungSamsung東芝intel--
フラッシュタイプ3D V-NAND - 2bit MLC3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)3D TLC NAND (BiCS3 3D TLC)3D TLC NANDTLC NAND
読込み速度シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec
ランダムリード:最大 370000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3400MB/sec
ランダムリード:最大 370000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3200MB/sec
ランダムリード:最大 340000IOPS
シーケンシャルリード:最大 3230MB/sec
ランダムリード:最大 340000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2050MB/sec
ランダムリード:最大 170000IOPS
書込み速度シーケンシャルライト:最大 2300MB/sec
ランダムライト:最大 500000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2300MB/sec
ランダムライト:最大 450000IOPS
シーケンシャルライト:最大 2000MB/sec
ランダムライト:最大 280000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1625MB/sec
ランダムライト:最大 275000IOPS
シーケンシャルライト:最大 800MB/sec
ランダムライト:最大 134000IOPS
消費電力アイドル時 0.03W/動作時平均 5.2Wアイドル時 0.03W/動作時平均 5.7~5.8W--アイドル時 0.05W/動作時平均 0.025Wアイドル時 0.05W/動作時平均 0.135W
総書込みバイト量(Total Byte Written)600TBW300TBW320TBW288TBW160TBW
MTBF(MTTF)150万時間150万時間150万時間160万時間175万時間
発売日2018-05-11
2018-05-11
2018-03-31
2018-01-30
2017-03-10
アーク参考価格読み込み中読み込み中読み込み中読み込み中読み込み中
  製品詳細 製品詳細 製品詳細 製品詳細 製品詳細

intelやWD、Plextorなどのライバルメーカーが続々と新型を発表、投入する中でサムスンもきっちり性能を向上し、NVMe SSDカテゴリートップの座をキープしてきたといった感じだ。

970 PRO/EVOのシリーズ選択に迷った場合、速度差はかなり埋まってきているが、前作に引き続き「PRO」は2bitのMLC(一般的にいうMLC)、「EVO」は3bitのMLC(一般的にいうTLC)タイプのNANDを採用しているので、速度ではなく耐久性に応じた価格差と考え、予算と目的に合わせてチョイスしてみると良いかもしれない。

▼ 参考リンクSamsung NVMe M.2 SSD製品一覧

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ライター

編集部 アーク石井

パソコンSHOPアークにてPC用メモリーバイヤー兼、管理職も勤める。 スキーとギターをこよなく愛す。アキバ歴23年を活かしたショップ視点でのメモリー関連の記事を主に担当している。
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