PCIe4.0対応の本命大容量モデル、リード最大7000MB/sのSamsung SSD 980 PROシリーズに2TBモデル「MZ-V8P2T0B/IT」追加ラインアップ
SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)とElpisコントローラを組み合わせたPCI Express 4.0対応NVMe M.2 SSD「980 PRO」シリーズに待望の容量2TBモデル「MZ-V8P2T0B/IT」が登場、2021年1月29日(金)より販売を開始する。 連続リード最大7000MB/secと驚異の高速アクセスを実現した新世代ハイスピードSolid State Drive。
人気の最大リード7000MB/s PCIe4.0対応NVMe M.2 SSD待望の2TBモデル
SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)とElpisコントローラを組み合わせたPCI Express 4.0対応NVMe M.2 SSD「980 PRO」シリーズに待望の容量2TBモデル「MZ-V8P2T0B/IT」が追加ラインアップ、2021年1月29日(金)より販売を開始する。
主な特長は、PCIe 4.0に対応したSamsung自社開発のElpisコントローラとV-NAND 3bit MLC (TLC)を組み合わせシーケンシャルリード最大7,000MB/sと高いパフォーマンスで人気の「SAMSUNG SSD 980 PRO」シリーズの容量2TBモデルで、シリーズ最速かつ最大容量となる事。
主な仕様は、コントローラーにSamsung Elpis、フラッシュタイプは3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)、読込み速度はシーケンシャルリード:最大 7000MB/sec/ランダムリード:最大 1000000IOPS、書込み速度はシーケンシャルライト:最大 5100MB/sec/ランダムライト:最大 1000000IOPS、消費電力 アイドル時 0.035W/動作時平均 5.6～6.1W、総書込みバイト量(Total Byte Written)1200TBW、MTBF(MTTF)150万時間で限定5年保証が付帯する。
保証については、保証期間もしくはTBW(Total Byte Written=総書込みバイト量)しきい値に到達した日の、いずれか短い期間までとなるので留意したい。
発売中の容量バリエーションモデル
 |  |  |  | |
| シリーズ | 980 PRO | 980 PRO | 980 PRO | 980 PRO |
| メーカー | SAMSUNG | SAMSUNG | SAMSUNG | SAMSUNG |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c |
| ストレージタイプ | SSD | SSD | SSD | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
| 容量 | 250GB | 500GB | 1TB | 2TB |
| キャッシュ | 512MB LowPower DDR4 | 512MB LowPower DDR4 | 1GB LowPower DDR4 | 2GB LowPower DDR4 |
| コントローラー | Samsung Elpis | Samsung Elpis | Samsung Elpis | Samsung Elpis |
| フラッシュメーカー | Samsung | Samsung | Samsung | Samsung |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
| 読込み速度 | シーケンシャルリード:最大 6400MB/sec ランダムリード:最大 500000IOPS | シーケンシャルリード:最大 6900MB/sec ランダムリード:最大 800000IOPS | シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS | シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS |
| 書込み速度 | シーケンシャルライト:最大 2700MB/sec ランダムライト:最大 600000IOPS | シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS | シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS | シーケンシャルライト:最大 5100MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS |
| 消費電力 | アイドル時 0.035W/動作時平均 3.9～5.0W | アイドル時 0.035W/動作時平均 5.4～5.9W | アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7～6.2W | アイドル時 0.035W/動作時平均 5.6～6.1W |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- | -- | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 150TBW | 300TBW | 600TBW | 1200TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 | 150万時間 | 150万時間 | 150万時間 |
| 発売日 | 2020-10-02 | 2020-10-02 | 2020-10-02 | 2021-01-29 |
| アーク参考価格 | 読み込み中 | 読み込み中 | 読み込み中 | 読み込み中 |
| 製品詳細 | 製品詳細 | 製品詳細 | 製品詳細 |
SAMSUNG(サムスン)について
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