Samsung、DRAMキャッシュレスでコスパに優れたNVMe M.2 SSD「980」シリーズ3モデルが登場

SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)と Pablo コントローラを組み合わせたDRAMキャッシュレスのPCI Express 3.0対応NVMe M.2 SSD「980」シリーズ3モデルが登場、2021年3月12日(金)より販売を開始している。キャッシュ用のDRAM非搭載ながらHMBテクノロジーを採用し連続リード最大3500MB/secを実現したSolid State Driveで容量250GBの「MZ-V8V250B/IT」、500GBの「MZ-V8V500B/IT」、1TBの「MZ-V8V1T0B/IT」の3容量バリエーションが登場。

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公開日: 2021-03-12

DRAMレス設計によりコスト削減も最大転送速度3,500MB/s

SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)と Pablo コントローラを組み合わせたDRAMキャッシュレスのNVMe M.2フォームファクタSSD「980」シリーズ3モデルが登場、2021年3月12日(金)より販売を開始している。

発売開始時点でのラインナップは容量250GBの「MZ-V8V250B/IT」、500GBの「MZ-V8V500B/IT」、1TBの「MZ-V8V1T0B/IT」の3容量バリエーションで、すべてリテイルボックス版、条件付き5年保証が付帯する。

主な特長は、DRAMレス設計によりコスト削減を実現しつつ、HMB(Host Memory Buffer) テクノロジーと最適化されたコントローラを組み合わせることで、一般的なSATA SSDの5.6倍以上高速な連続リード最大3500MB/secを実現する点など。

	MZ-V8V250B/IT	MZ-V8V500B/IT	MZ-V8V1T0B/IT
型番	MZ-V8V250B/IT	MZ-V8V500B/IT	MZ-V8V1T0B/IT
シリーズ	980	980	980
メーカー	SAMSUNG	SAMSUNG	SAMSUNG
フォームファクタ	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス	PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4	PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4	PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.4
ストレージタイプ	SSD	SSD	SSD
内蔵 / 外付け	内蔵タイプ	内蔵タイプ	内蔵タイプ
容量	250GB	500GB	1TB
キャッシュ	-- HMB対応	-- HMB対応	-- HMB対応
コントローラー	Samsung自社製コントローラ	Samsung自社製コントローラ	Samsung自社製コントローラ
フラッシュメーカー	Samsung	Samsung	Samsung
フラッシュタイプ	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度	シーケンシャルリード:最大 2900MB/sec ランダムリード:最大 230000IOPS	シーケンシャルリード:最大 3100MB/sec ランダムリード:最大 400000IOPS	シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec ランダムリード:最大 500000IOPS
書込み速度	シーケンシャルライト:最大 1300MB/sec ランダムライト:最大 320000IOPS	シーケンシャルライト:最大 2600MB/sec ランダムライト:最大 470000IOPS	シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec ランダムライト:最大 480000IOPS
消費電力	アイドル時 0.005W/動作時平均 3.2～3.7W	アイドル時 0.005W/動作時平均 4.2～4.3W	アイドル時 0.005W/動作時平均 4.5～4.6W
耐久性評価 (書き込み上限数)	--	--	--
総書込みバイト量(Total Byte Written)	150TBW	300TBW	600TBW
MTBF(MTTF)	150万時間	150万時間	150万時間
備考	--	--	--
発売日	2021-03-12	2021-03-12	2021-03-12
アーク参考価格	読み込み中	読み込み中	読み込み中
	製品詳細	製品詳細	製品詳細