リード最大7000MB/s、Samsung初のPCIe4.0対応NVMe M.2 SSD「980 PRO」シリーズ

SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)と Elpis コントローラを組み合わせた同社初のPCI Express 4.0対応NVMe M.2 SSD「980 PRO」シリーズ3モデルが登場、2020年10月2日(金)より販売を開始している。連続リード最大7000MB/secと驚異の高速アクセスを実現した新世代ハイスピードSolid State Driveで容量250GBの「MZ-V8P250B/IT」、500GBの「MZ-V8P500B/IT」、1TBの「MZ-V8P1T0B/IT」の3容量バリエーション。

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公開日: 2020-10-03

最大転送速度7,000MB/sを実現したPCIe4.0対応NVMe M.2 SSD

SamsungからV-NAND 3bit MLC (TLC)と Elpis コントローラを組み合わせた同社初のPCI Express 4.0に対応するNVMe M.2フォームファクタSSD「980 PRO」シリーズ3モデルが登場、2020年10月2日(金)より販売を開始している。

発売開始時点でのラインナップは「MZ-V8P250B/IT」、500GBの「MZ-V8P500B/IT」、1TBの「MZ-V8P1T0B/IT」の3容量バリエーションで、すべてリテイルボックス版、条件付き5年保証が付帯する。

主な特長は、PCIe 4.0に対応したSamsung自社開発のElpisコントローラとV-NAND 3bit MLC (TLC)を組み合わせる事でシーケンシャルリード最大7,000MB/sに到達(1TBモデルの場合)、これは従来のPCIe 3.0のNVMe SSDと比較して約2倍、SATA SSDより約12倍相当の速度で、PCIe4の性能を活かしたハイスピードSSDのひとつである事。

	MZ-V8P250B/IT	MZ-V8P500B/IT	MZ-V8P1T0B/IT	MZ-V8P2T0B/IT
シリーズ	980 PRO	980 PRO	980 PRO	980 PRO
メーカー	SAMSUNG	SAMSUNG	SAMSUNG	SAMSUNG
フォームファクタ	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c
ストレージタイプ	SSD	SSD	SSD	SSD
内蔵 / 外付け	内蔵タイプ	内蔵タイプ	内蔵タイプ	内蔵タイプ
容量	250GB	500GB	1TB	2TB
キャッシュ	512MB LowPower DDR4	512MB LowPower DDR4	1GB LowPower DDR4	2GB LowPower DDR4
コントローラー	Samsung Elpis	Samsung Elpis	Samsung Elpis	Samsung Elpis
フラッシュメーカー	Samsung	Samsung	Samsung	Samsung
フラッシュタイプ	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度	シーケンシャルリード:最大 6400MB/sec ランダムリード:最大 500000IOPS	シーケンシャルリード:最大 6900MB/sec ランダムリード:最大 800000IOPS	シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS	シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度	シーケンシャルライト:最大 2700MB/sec ランダムライト:最大 600000IOPS	シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS	シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS	シーケンシャルライト:最大 5100MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS
消費電力	アイドル時 0.035W/動作時平均 3.9～5.0W	アイドル時 0.035W/動作時平均 5.4～5.9W	アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7～6.2W	アイドル時 0.035W/動作時平均 5.6～6.1W
耐久性評価 (書き込み上限数)	--	--	--	--
総書込みバイト量(Total Byte Written)	150TBW	300TBW	600TBW	1200TBW
MTBF(MTTF)	150万時間	150万時間	150万時間	150万時間
発売日	2020-10-02	2020-10-02	2020-10-02	2021-01-29
アーク参考価格	読み込み中	読み込み中	読み込み中	読み込み中
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