SAMSUNG (サムスン)

MZ-V9P1T0G-IT

Name: MZ-V9P1T0G-IT
Brand: SAMSUNG
SKU: 4560441098159
Price: 17980 JPY
Availability: InStock

990 PRO with Heatsink MZ-V9P1T0G-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜〜1TB

Gen4 SSDの最高峰へ : PCIe® 4.0の最大パフォーマンスに到達したスピードを体験してください。自社製SSDコントローラーによるスマートな熱制御は、最高の電力効率で速度とパフォーマンスを維持しながら、常に快適なゲーム環境を提供します。

大幅なスピードアップ : 最大 7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIe® 4.0 の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40%/55%高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび 3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。

驚異的な電力効率 : 通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PRO は電力効率が高く、980 PRO よりも 1 ワットあたりのパフォーマンスが 50% 以上向上しています。この低電力設計により、最適な電力効率で最大の PCIe®4.0 パフォーマンスが可能になります。

ヒートシンク搭載 : スリムなヒートシンクが熱を放散し、過熱によるパフォーマンスの低下を防ぎます。グラフィックスの負荷が高いゲームでも、安定した熱制御と最小限のファンノイズを実現します。薄型ボディは、PCI-SIG®D8規格に準拠したPlayStation® 5、デスクトップ、およびラップトップに対応しています。

最高のゲーム体験 : ランダムパフォーマンスが 40% 以上向上したことで、PS5 および DirectStorage対応のPC ゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。

製品の詳細・仕様

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製品の詳細・仕様

型番	MZ-V9P1T0G-IT
シリーズ	990 PRO with Heatsink
メーカー	SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ	M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ	SSD
内蔵 / 外付け	内蔵タイプ
容量	1TB
キャッシュ	1GB LowPower DDR4
コントローラー	Samsung 自社製
フラッシュメーカー	Samsung
フラッシュタイプ	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度	シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec ランダムリード:最大 1200000IOPS
書込み速度	シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec ランダムライト:最大 1550000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数)	--
総書込みバイト量(Total Byte Written)	600TBW
MTBF(MTTF)	150万時間
備考	--
発売日	2023-06-22

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フォームファクタ	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe	M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 1.3c	PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ	SSD	SSD	SSD	SSD
内蔵 / 外付け	内蔵タイプ	内蔵タイプ	内蔵タイプ	内蔵タイプ
容量	1TB	1TB	1TB	1TB
キャッシュ	1GB LowPower DDR4	-- DRAMレス	1GB LowPower DDR4	--
コントローラー	Samsung 自社製	Phison PS5027-E27T	Samsung自社製コントローラ	--
フラッシュメーカー	Samsung	--	Samsung	--
フラッシュタイプ	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D TLC NAND	3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)	3D TLC NAND
読込み速度	シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec ランダムリード:最大 1200000IOPS	シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS	シーケンシャルリード:最大 7000MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS	シーケンシャルリード:最大 4150MB/sec ランダムリード:最大 600000IOPS
書込み速度	シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec ランダムライト:最大 1550000IOPS	シーケンシャルライト:最大 6100MB/sec ランダムライト:最大 850000IOPS	シーケンシャルライト:最大 5000MB/sec ランダムライト:最大 1000000IOPS	シーケンシャルライト:最大 4150MB/sec ランダムライト:最大 750000IOPS
消費電力	--	--	アイドル時 0.035W/動作時平均 5.7～6.2W	--
耐久性評価 (書き込み上限数)	--	--	--	--
総書込みバイト量(Total Byte Written)	600TBW	600TBW	600TBW	600TBW
MTBF(MTTF)	150万時間	--	150万時間	150万時間
備考	--	--	--	--
発売日	2023-06-22	2024-02-10	2020-10-02	2023-07-15
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