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型番 | MZ-V9E1T0B-IT |
シリーズ | 990 EVO |
メーカー | SAMSUNG(サムスン) |
フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe |
インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 |
ストレージタイプ | SSD |
内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ |
容量 | 1TB |
キャッシュ | -- HMB(Host Memory Buffer) |
コントローラー | Samsung 自社製 |
フラッシュメーカー | Samsung |
フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec ランダムリード:最大 680000IOPS |
書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec ランダムライト:最大 800000IOPS |
耐久性評価 (書き込み上限数) | -- |
総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW |
MTBF(MTTF) | 150万時間 |
備考 | -- |
発売日 | 2024-01-31 |
![]() MZ-V9E1T0B-IT
|
||||
11,680円(税込) | 12,480円(税込) | 11,781円(税込) | 14,480円(税込) | |
フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) |
ストレージタイプ | SSD | SSD | SSD | SSD |
内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
容量 | 1TB | 1TB | 1TB | 1TB |
キャッシュ | -- HMB(Host Memory Buffer) | -- | -- | -- |
コントローラー | Samsung 自社製 | WD独自コントローラー | -- 非公開 | -- 非公開 |
フラッシュメーカー | Samsung | Western Digital | Western Digital | Micron |
フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D TLC NAND | 3D TLC NAND | 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) |
読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec ランダムリード:最大 680000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 7250MB/sec ランダムリード:最大 1000000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 7300MB/sec ランダムリード:最大 800000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 7300MB/sec ランダムリード:最大 1150000IOPS |
書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec ランダムライト:最大 800000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec ランダムライト:最大 1400000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 6300MB/sec ランダムライト:最大 1100000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 6800MB/sec ランダムライト:最大 1440000IOPS |
耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- | -- | -- |
総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW | 600TBW | 600TBW | 600TBW |
MTBF(MTTF) | 150万時間 | -- | 175万時間 | -- |
備考 | -- | -- | -- | -- |
発売日 |
2024-01-31 |
2025-02-01 |
2022-08-31 |
2023-12-02 |
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