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| 型番 | MZ-V9E1T0B-IT |
| シリーズ | 990 EVO |
| メーカー | SAMSUNG(サムスン) |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 |
| ストレージタイプ | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ |
| 容量 | 1TB |
| キャッシュ | -- HMB(Host Memory Buffer) |
| コントローラー | Samsung 自社製 |
| フラッシュメーカー | Samsung |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec ランダムリード:最大 680000IOPS |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec ランダムライト:最大 800000IOPS |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 |
| 備考 | -- |
| 発売日 | 2024-01-31 |
MZ-V9E1T0B-IT
|
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|
| 11,980円(税込) | 8,778円(税込) | 11,680円(税込) | 14,980円(税込) | |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) (NVMe 1.4) |
| ストレージタイプ | SSD | SSD | SSD | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
| 容量 | 1TB | 1TB | 1TB | 1TB |
| キャッシュ | -- HMB(Host Memory Buffer) | -- | -- | -- |
| コントローラー | Samsung 自社製 | -- | -- 非公開 | WD独自コントローラー |
| フラッシュメーカー | Samsung | -- | Micron | Western Digital |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D QLC | 3D QLC | 3D TLC NAND (112層 BiCS5) |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec ランダムリード:最大 680000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec | シーケンシャルリード:最大 3500MB/sec |
シーケンシャルリード:最大 5150MB/sec ランダムリード:最大 740000IOPS |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec ランダムライト:最大 800000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 2100MB/sec | シーケンシャルライト:最大 3000MB/sec |
シーケンシャルライト:最大 4900MB/sec ランダムライト:最大 800000IOPS |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- | -- | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 600TBW | 320TBW | 220TBW | 600TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 | 150万時間 | 150万時間 | -- |
| 備考 | -- | -- | -- | -- |
| 発売日 |
2024-01-31 |
2022-09-22 |
2022-08-31 |
2022-03-18 |
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