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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V9E1T0B-IT

990 EVO MZ-V9E1T0B-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 〜1TB

990 EVOは、最大 5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大 700K/800K IOPS のランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus 2TBより最大43% 高速です。ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。

電源を入れたまま使い続けましょう。前モデルに比べて電力効率が70%改善され、バッテリー残量を心配することなく、より長くコンピューティング作業を行うことができます。また、モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができます。

990 EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。

1台のSSDですべてのタスクを実行します。パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。最新の PCIe® 4.0 x4 および PCIe® 5.0 x2 インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。

製品の詳細・仕様

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国内代理店品/BOX メーカー5年保証もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。

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商品番号:13512619
JANコード:4560441098777
製品タイプ: 正規販売・代理店版
発売日:2024-01-31
最終更新日:2024-05-14

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V9E1T0B-IT
シリーズ 990 EVO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
キャッシュ -- HMB(Host Memory Buffer)
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 680000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec
ランダムライト:最大 800000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2024-01-31

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 / PCI-Express 5.0 X2 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe™ 1.4準拠 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (5.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
キャッシュ -- HMB(Host Memory Buffer) -- -- --
コントローラー Samsung 自社製 -- 非公開 -- 非公開 Phison PS5026-E26
フラッシュメーカー Samsung KIOXIA Micron Micron
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND (BiCS FLASH™ TLC) 3D QLC 3D TLC NAND 232-Layer
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 680000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 770000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec シーケンシャルリード:最大 13600MB/sec
ランダムリード:最大 1400000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec
ランダムライト:最大 800000IOPS
シーケンシャルライト:最大 3900MB/sec
ランダムライト:最大 950000IOPS
シーケンシャルライト:最大 3600MB/sec シーケンシャルライト:最大 10200MB/sec
ランダムライト:最大 1750000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 600TBW 600TBW 220TBW 600TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 150万時間 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2024-01-31
2023-10-21
2022-08-31
2024-03-25
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