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SAMSUNG (サムスン)

MZ-75E1T0B/IT

SSD 850 EVO MZ-75E1T0B/IT SSD 2.5インチ SerialATA 1TB以上〜 〜1TB

1TB 2.5インチ SATA SSD 3D V-NAND Read 最大540MB/Sec Write 最大520MB/Sec

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商品番号:13511189
JANコード:4560441091549
販売開始日:2014-12-19
最終更新日:2018-07-23

製品の詳細・仕様

型番 MZ-75E1T0B/IT
シリーズ SSD 850 EVO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ 2.5インチ 7mm SATA
インターフェイスタイプ SATA 6Gb/s
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 1TB
コントローラー --
フラッシュメーカー --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 540MB/sec
ランダムリード:最大 98000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 520MB/sec
ランダムライト:最大 90000IOPS
消費電力 アイドル時 0.7W/動作時最大 3.6W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
MTBF(MTTF) 150万時間
総書込みバイト量(Total Byte Written) 150TBW
発売日 2014-12-19

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フォームファクタ 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA
インターフェイスタイプ SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 1TB 1TB 1TB 1TB
コントローラー -- -- Micron®カスタムファームウェア搭載Silicon Motion SM2258 --
フラッシュメーカー -- -- Micron --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC -- 3D TLC NAND TLC NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 540MB/sec
ランダムリード:最大 98000IOPS
シーケンシャルリード:最大 560MB/sec
ランダムリード:最大 90000IOPS
シーケンシャルリード:最大 555MB/sec
ランダムリード:最大 95000IOPS
シーケンシャルリード:最大 535MB/sec
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 520MB/sec
ランダムライト:最大 90000IOPS
シーケンシャルライト:最大 520MB/sec
ランダムライト:最大 82000IOPS
シーケンシャルライト:最大 515MB/sec
ランダムライト:最大 90000IOPS
シーケンシャルライト:最大 450MB/sec
消費電力 アイドル時 0.7W/動作時最大 3.6W -- -- --
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
MTBF(MTTF) 150万時間 175万時間 180万時間 --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 150TBW 400TBW 360TBW --
発売日 2014-12-19
2022-06-24
2018-12-01
2022-04-30
  商品ページはこちら 商品ページはこちら 商品ページはこちら

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