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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V9P4T0G-IT

990 PRO with Heatsink MZ-V9P4T0G-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 ~2TB

Gen4 SSDの最高峰へ : PCIe® 4.0の最大パフォーマンスに到達したスピードを体験してください。 自社製SSDコントローラーによるスマートな熱制御は、最高の電力効率で速度とパフォーマンスを維持しながら、常に快適なゲーム環境を提供します。

大幅なスピードアップ : 最大 7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIe® 4.0 の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40%/55%高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび 3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。

驚異的な電力効率 : 通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PRO は電力効率が高く、980 PRO よりも 1 ワットあたりのパフォーマンスが 50% 以上向上しています。 この低電力設計により、最適な電力効率で最大の PCIe®4.0 パフォーマンスが可能になります。

ヒートシンク搭載 : スリムなヒートシンクが熱を放散し、 過熱によるパフォーマンスの低下を防ぎます。 グラフィックスの負荷が高いゲームでも、安定した熱制御と最小限のファンノイズを実現します。 薄型ボディは、PCI-SIG®D8規格に準拠したPlayStation® 5、デスクトップ、およびラップトップに対応しています。

最高のゲーム体験 : ランダムパフォーマンスが 40% 以上向上したことで、PS5 および DirectStorage対応のPC ゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。

製品の詳細・仕様

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商品番号:13512582
JANコード:4560441098432
製品タイプ: 正規販売・代理店版
発売日:2023-10-31
最終更新日:2024-07-11

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V9P4T0G-IT
シリーズ 990 PRO with Heatsink
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 4TB
キャッシュ 4GB LowPower DDR4
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec
ランダムリード:最大 1600000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec
ランダムライト:最大 1550000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 2400TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2023-10-31

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (3.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe™ 1.4準拠 NVMe (NVM Express)
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 4TB 2TB 2TB 2TB
キャッシュ 4GB LowPower DDR4 -- DRAMレス 2GB LowPower DDR4 --
コントローラー Samsung 自社製 -- Samsung 自社製 -- 非公開
フラッシュメーカー Samsung -- Samsung --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) -- 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec
ランダムリード:最大 1600000IOPS
シーケンシャルリード:最大 2350MB/sec シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec
ランダムリード:最大 1400000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec
ランダムリード:最大 1000000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec
ランダムライト:最大 1550000IOPS
シーケンシャルライト:最大 1900MB/sec シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec
ランダムライト:最大 1550000IOPS
シーケンシャルライト:最大 6400MB/sec
ランダムライト:最大 950000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 2400TBW -- 1200TBW 1200TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 150万時間
備考 -- -- -- --
発売日 2023-10-31
2023-12-06
2022-12-23
2024-06-08
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