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| 型番 | MZ-V9P4T0G-IT |
| シリーズ | 990 PRO with Heatsink |
| メーカー | SAMSUNG(サムスン) |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 |
| ストレージタイプ | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ |
| 容量 | 4TB |
| キャッシュ | 4GB LowPower DDR4 |
| コントローラー | Samsung 自社製 |
| フラッシュメーカー | Samsung |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec ランダムリード:最大 1600000IOPS |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec ランダムライト:最大 1550000IOPS |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 2400TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 |
| 備考 | -- |
| 発売日 | 2023-10-31 |
MZ-V9P4T0G-IT
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| 46,981円(税込) | 24,800円(税込) | 18,700円(税込) | 17,980円(税込) | |
| フォームファクタ | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe | M.2 type2280(22×80) PCIe |
| インターフェイス | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) | PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) |
| ストレージタイプ | SSD | SSD | SSD | SSD |
| 内蔵 / 外付け | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ | 内蔵タイプ |
| 容量 | 4TB | 2TB | 2TB | 2TB |
| キャッシュ | 4GB LowPower DDR4 | -- | -- | -- |
| コントローラー | Samsung 自社製 | -- 非公開 | -- 非公開 | -- 非公開 |
| フラッシュメーカー | Samsung | Micron | Micron | -- |
| フラッシュタイプ | 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) | 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) | 3D QLC | 3D QLC |
| 読込み速度 |
シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec ランダムリード:最大 1600000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec ランダムリード:最大 1180000IOPS |
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec | シーケンシャルリード:最大 4125MB/sec |
| 書込み速度 |
シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec ランダムライト:最大 1550000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 7000MB/sec ランダムライト:最大 1440000IOPS |
シーケンシャルライト:最大 4200MB/sec | シーケンシャルライト:最大 3325MB/sec |
| 耐久性評価 (書き込み上限数) | -- | -- | -- | -- |
| 総書込みバイト量(Total Byte Written) | 2400TBW | 1200TBW | 440TBW | 800TBW |
| MTBF(MTTF) | 150万時間 | -- | 150万時間 | 160万時間 |
| 備考 | -- | -- | -- | -- |
| 発売日 |
2023-10-31 |
2023-12-02 |
2022-08-31 |
2022-09-02 |
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