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SAMSUNG (サムスン)

MZ-V9P2T0G-FF7RBOX-IT

『FINAL FANTASY VII REBIRTH』コラボ記念 収納ボックス付Samsung 990 PROヒートシンクモデル

990 PRO with Heatsink MZ-V9P2T0G-FF7RBOX-IT SSD M.2 PCI-Express(NVMe) 1TB以上〜 ~2TB

『FINAL FANTASY VII REBIRTH』コラボ記念収納ボックス : コラボ記念収納ボックスは、外箱と内箱に各キャラクターの顔が印刷された、この機会にしか手に入らない数量限定コラボアイテムです。ゲームソフト、周辺機器の収納はもちろん、テレビやデスク周辺のインテリアとしてもお使いいただけるデザインになっています。(外寸サイズ:約180 x 180 x 175mm)

大幅なスピードアップ : 最大 7450/6900 MB/秒のシーケンシャル読み出し/書き込み速度で、PCIe® 4.0 の最大パフォーマンスに近い速度に達します。また、ランダム読み出し/書き込み速度は、980 PROよりも40%/55%高速な最大 1400K/1550K IOPSを実現し、ゲーム、ビデオおよび 3D 編集、データ分析などで効果を発揮します。

驚異的な電力効率 : 通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、990 PRO は電力効率が高く、980 PRO よりも 1 ワットあたりのパフォーマンスが 50% 以上向上しています。 この低電力設計により、最適な電力効率で最大の PCIe®4.0 パフォーマンスが可能になります。

ヒートシンク搭載 : スリムなヒートシンクが熱を放散し、 過熱によるパフォーマンスの低下を防ぎます。 グラフィックスの負荷が高いゲームでも、安定した熱制御と最小限のファンノイズを実現します。 薄型ボディは、PCI-SIG®D8規格に準拠したPlayStation® 5、デスクトップ、およびラップトップに対応しています。

最高のゲーム体験 : ランダムパフォーマンスが 40% 以上向上したことで、PS5 および DirectStorage対応のPC ゲームでの高速ロードが可能となり、究極のゲーミングリアリズムが実現します。

製品の詳細・仕様

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国内代理店品/BOX メーカー5年保証もしくはTBW(Total Byte Written=総書き込みバイト数)しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。

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商品番号:13512719
JANコード:4560441098890
製品タイプ: 正規販売・代理店版
販売開始日:2024-03-20
最終更新日:2024-09-14

製品の詳細・仕様

型番 MZ-V9P2T0G-FF7RBOX-IT
シリーズ 990 PRO with Heatsink
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 2TB
キャッシュ 2GB LowPower DDR4
コントローラー Samsung 自社製
フラッシュメーカー Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec
ランダムリード:最大 1400000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec
ランダムライト:最大 1550000IOPS
耐久性評価 (書き込み上限数) --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 1200TBW
MTBF(MTTF) 150万時間
備考 --
発売日 2024-03-20

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フォームファクタ M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe M.2 type2280(22×80) PCIe
インターフェイス PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0 PCI-Express (4.0) X4 NVMe (NVM Express) PCI-Express (4.0) X4 NVMe™ 1.4準拠 NVMe (NVM Express) PCI-Express (5.0) X4 NVMe (NVM Express) NVMe 2.0
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 2TB 2TB 2TB 2TB
キャッシュ 2GB LowPower DDR4 -- -- --
コントローラー Samsung 自社製 -- 非公開 -- 非公開 Phison PS5026-E26
フラッシュメーカー Samsung Micron KIOXIA Micron
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 3bit MLC(TLC) 3D TLC NAND (マイクロンの設計による世界初の232層TLC NAND) 3D TLC NAND (BiCS FLASH™ TLC) 3D TLC NAND 232-Layer
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 7450MB/sec
ランダムリード:最大 1400000IOPS
シーケンシャルリード:最大 7400MB/sec
ランダムリード:最大 1180000IOPS
シーケンシャルリード:最大 5000MB/sec
ランダムリード:最大 680000IOPS
シーケンシャルリード:最大 12400MB/sec
ランダムリード:最大 1500000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 6900MB/sec
ランダムライト:最大 1550000IOPS
シーケンシャルライト:最大 7000MB/sec
ランダムライト:最大 1440000IOPS
シーケンシャルライト:最大 3900MB/sec
ランダムライト:最大 950000IOPS
シーケンシャルライト:最大 11800MB/sec
ランダムライト:最大 1500000IOPS
消費電力 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
総書込みバイト量(Total Byte Written) 1200TBW 1200TBW 1200TBW 1200TBW
MTBF(MTTF) 150万時間 -- 150万時間 --
備考 -- -- -- --
発売日 2024-03-20
2023-12-02
2023-10-21
2023-06-10
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