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SAMSUNG (サムスン)

MZ-75E500B/IT

SSD 850 EVO MZ-75E500B/IT SSD 2.5インチ SerialATA 〜1TB未満 〜512GB

500GB 2.5インチ SATA SSD 3D V-NAND Read 最大540MB/Sec Write 最大520MB/Sec

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商品番号:13511188
JANコード:4560441091532
販売開始日:2014-12-19
最終更新日:2018-07-23

製品の詳細・仕様

型番 MZ-75E500B/IT
シリーズ SSD 850 EVO
メーカー SAMSUNG(サムスン)
フォームファクタ 2.5インチ 7mm SATA
インターフェイスタイプ SATA 6Gb/s
ストレージタイプ SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ
容量 500GB
コントローラー --
フラッシュメーカー --
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 540MB/sec
ランダムリード:最大 97000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 520MB/sec
ランダムライト:最大 88000IOPS
消費電力 アイドル時 0.7W/動作時最大 3.6W
動作音 --
耐久性評価 (書き込み上限数) --
MTBF(MTTF) 150万時間
総書込みバイト量(Total Byte Written) 75TBW
発売日 2014-12-19

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フォームファクタ 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA 2.5インチ 7mm SATA
インターフェイスタイプ SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
ストレージタイプ SSD SSD SSD SSD
内蔵 / 外付け 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ 内蔵タイプ
容量 500GB 500GB 500GB 500GB
コントローラー -- Micron®カスタムファームウェア搭載Silicon Motion SM2258 Marvell Samsung MKX コントローラ
フラッシュメーカー -- Micron -- Samsung
フラッシュタイプ 3D V-NAND - 2bit MLC 3D TLC NAND 3D TLC NAND V-NAND - 3bit MLC(TLC)
読込み速度 シーケンシャルリード:最大 540MB/sec
ランダムリード:最大 97000IOPS
シーケンシャルリード:最大 555MB/sec
ランダムリード:最大 95000IOPS
シーケンシャルリード:最大 560MB/sec シーケンシャルリード:最大 560MB/sec
ランダムリード:最大 98000IOPS
書込み速度 シーケンシャルライト:最大 520MB/sec
ランダムライト:最大 88000IOPS
シーケンシャルライト:最大 515MB/sec
ランダムライト:最大 90000IOPS
シーケンシャルライト:最大 510MB/sec シーケンシャルライト:最大 530MB/sec
ランダムライト:最大 88000IOPS
消費電力 アイドル時 0.7W/動作時最大 3.6W -- -- アイドル時 0.0025W (デバイススリープ時)/動作時平均 2.0~2.2W
動作音 -- -- -- --
耐久性評価 (書き込み上限数) -- -- -- --
MTBF(MTTF) 150万時間 180万時間 175万時間 150万時間
総書込みバイト量(Total Byte Written) 75TBW 180TBW 200TBW 300TBW
発売日 2014-12-19
2018-12-01
2022-10-04
2021-01-22
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